
NITT JRF / प्रोजेक्ट असोसिएट-I भर्ती 2026 | 01 पद के लिए @ nitt.edu पर आवेदन करें
राष्ट्रीय प्रौद्योगिकी संस्थान तिरुचिरापल्ली (NITT), विद्युत और इलेक्ट्रॉनिक्स इंजीनियरिंग विभाग ने ANRF - एडवांस्ड रिसर्च ग्रांट (ARG) द्वारा वित्तपोषित एक शोध परियोजना के लिए जूनियर रिसर्च फेलो (JRF) / प्रोजेक्ट असोसिएट-I की भर्ती के लिए एक आधिकारिक अधिसूचना जारी की है। यह परियोजना व्यापक लोड और वोल्टेज रेंज अनुप्रयोगों के लिए उन्नत मॉड्यूलेशन रणनीति के साथ उच्च-प्रदर्शन पुन: कॉन्फ़िगर करने योग्य द्विदिश DC-DC कनवर्टर के डिजाइन और विकास पर केंद्रित है।
पात्र और इच्छुक भारतीय नागरिक निर्धारित प्रारूप में अपने आवेदन और प्रासंगिक सहायक दस्तावेजों को apclabnitt@gmail.com और shelassathyan@nitt.edu पर ईमेल के माध्यम से जमा करके आवेदन कर सकते हैं। आवेदन जमा करने की अंतिम तिथि 07 अगस्त 2026 रात्रि 11:59 बजे तक है।
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राष्ट्रीय प्रौद्योगिकी संस्थान तिरुचिरापल्ली (NITT) के बारे में
राष्ट्रीय प्रौद्योगिकी संस्थान तिरुचिरापल्ली (NITT) शिक्षा मंत्रालय, भारत सरकार के अंतर्गत राष्ट्रीय महत्व का एक संस्थान है। NITT का विद्युत और इलेक्ट्रॉनिक्स इंजीनियरिंग विभाग पावर इलेक्ट्रॉनिक्स, विद्युत मशीनों और नियंत्रण प्रणालियों के क्षेत्र में अनुसंधान और नवाचार में अपनी उत्कृष्टता के लिए जाना जाता है। विभाग विभिन्न राष्ट्रीय और अंतर्राष्ट्रीय वित्त पोषण एजेंसियों द्वारा वित्तपोषित अत्याधुनिक शोध परियोजनाओं में सक्रिय रूप से संलग्न है।
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रिक्रूटमेंट हाइलाइट्स
| विवरण | पूरी जानकारी |
| संगठन | राष्ट्रीय प्रौद्योगिकी संस्थान तिरुचिरापल्ली (NITT) |
| विभाग | विद्युत और इलेक्ट्रॉनिक्स इंजीनियरिंग |
| पद का नाम | जूनियर रिसर्च फेलो (JRF) / प्रोजेक्ट असोसिएट-I |
| रिक्ति | 01 |
| परियोजना का शीर्षक | व्यापक लोड और वोल्टेज रेंज अनुप्रयोगों के लिए उन्नत मॉड्यूलेशन रणनीति के साथ उच्च-प्रदर्शन पुन: कॉन्फ़िगर करने योग्य द्विदिश DC-DC कनवर्टर का डिजाइन और विकास |
| वित्त पोषण एजेंसी | ANRF - एडवांस्ड रिसर्च ग्रांट (ARG) |
| परियोजना अवधि | 3 वर्ष तक |
| प्रारंभिक नियुक्ति | 1 वर्ष (प्रदर्शन के आधार पर विस्तार योग्य) |
| कार्य स्थल | तिरुचिरापल्ली, तमिलनाडु |
| आवेदन का तरीका | ईमेल (सॉफ्टकॉपी PDF) |
| आधिकारिक वेबसाइट | https://www.nitt.edu |
महत्वपूर्ण तिथियाँ
| कार्यक्रम | तिथि |
| विज्ञापन जारी होने की तिथि | 17 जुलाई 2026 |
| आवेदन जमा करने की अंतिम तिथि | 07 अगस्त 2026 (रात्रि 11:59 बजे तक) |
| साक्षात्कार तिथि | शॉर्टलिस्टेड अभ्यर्थियों को ईमेल द्वारा सूचित किया जाएगा |
परियोजना विवरण
परियोजना का शीर्षक: व्यापक लोड और वोल्टेज रेंज अनुप्रयोगों के लिए उन्नत मॉड्यूलेशन रणनीति के साथ उच्च-प्रदर्शन पुन: कॉन्फ़िगर करने योग्य द्विदिश DC-DC कनवर्टर का डिजाइन और विकास।
परियोजना का दायरा:
- यह परियोजना इलेक्ट्रिक वाहनों और DC माइक्रोग्रिड जैसे अनुप्रयोगों के लिए तैयार एक संरचनात्मक रूप से पुन: कॉन्फ़िगर करने योग्य, द्विदिश डुअल एक्टिव ब्रिज (DAB) DC-DC कनवर्टर के विकास पर केंद्रित है।
- पारंपरिक DAB कनवर्टर व्यापक वोल्टेज और लोड विविधताओं के तहत सीमित जीरो वोल्टेज स्विचिंग (ZVS) और उच्च परिसंचारी धाराओं से ग्रस्त है।
- इन सीमाओं को दूर करने के लिए, शोध टोपोलॉजी मॉर्फिंग तकनीकों को उन्नत मॉड्यूलेशन रणनीतियों के साथ एकीकृत करता है ताकि बिजली के नुकसान को कम किया जा सके और ZVS सीमाओं को व्यापक बनाया जा सके।
- प्राप्तियों में टोपोलॉजी पर डिजाइन और विश्लेषण, सिमुलेशन, मोड ट्रांज़िशन के लिए मजबूत नियंत्रण पद्धतियाँ, और हार्डवेयर प्रोटोटाइप के माध्यम से सत्यापन शामिल है, जो विविध और व्यापक परिचालन स्थितियों में उच्च दक्षता प्रदर्शित करता है।
पात्रता मानदंड
JRF (GATE योग्य अभ्यर्थियों) के लिए:
- B.E/B.Tech. विद्युत इंजीनियरिंग (EE) / विद्युत और इलेक्ट्रॉनिक्स इंजीनियरिंग (EEE) / विद्युत और कंप्यूटर इंजीनियरिंग / विद्युत और इंस्ट्रूमेंटेशन इंजीनियरिंग (EIE) में प्रथम श्रेणी के साथ और मान्य GATE स्कोर।
- प्राथमिकता: मान्यता प्राप्त विश्वविद्यालय/संस्थान से पावर इलेक्ट्रॉनिक्स / पावर इलेक्ट्रॉनिक्स एंड ड्राइव्स या समकक्ष में M.E/M.Tech. (प्रथम श्रेणी यानी 60% या 6.5 CGPA)।
- B.E/B.Tech. विद्युत इंजीनियरिंग (EE) / विद्युत और इलेक्ट्रॉनिक्स इंजीनियरिंग (EEE) / विद्युत और कंप्यूटर इंजीनियरिंग / विद्युत और इंस्ट्रूमेंटेशन इंजीनियरिंग (EIE) में प्रथम श्रेणी के साथ।
- प्राथमिकता: मान्यता प्राप्त विश्वविद्यालय/संस्थान से पावर इलेक्ट्रॉनिक्स / पावर इलेक्ट्रॉनिक्स एंड ड्राइव्स या समकक्ष में M.E/M.Tech. (प्रथम श्रेणी यानी 60% या 6.5 CGPA)।
आयु सीमा (07 अगस्त 2026 तक)
- अधिकतम आयु: 32 वर्ष
- आयु में छूट (भारत सरकार के मानदंडों के अनुसार):
- SC/ST अभ्यर्थी: 05 वर्ष
- OBC अभ्यर्थी: 03 वर्ष
पारिश्रमिक / वेतन
GATE योग्य अभ्यर्थियों (JRF) के लिए:
- प्रथम दो वर्ष: ₹37,000 + HRA
- तीसरा वर्ष: ₹42,000 + HRA
- प्रथम दो वर्ष: ₹30,000 + HRA
- तीसरा वर्ष: ₹33,000 + HRA
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कार्य विवरण / जिम्मेदारियाँ
- पावर इलेक्ट्रॉनिक कनवर्टर डिजाइन और विकास
- कनवर्टर टोपोलॉजी पर सिमुलेशन और विश्लेषण करना
- मॉड्यूलेशन रणनीतियों का विकास और उनका विश्लेषण
- PCB फैब्रिकेशन, मॉड्यूलेशन रणनीति कार्यान्वयन और विश्लेषण के माध्यम से प्रोटोटाइप विकास और परीक्षण
- रिपोर्ट तैयार करना और तकनीकी लेखों का प्रकाशन
चयन प्रक्रिया
- आवेदनों की स्क्रीनिंग और शॉर्टलिस्टिंग
- साक्षात्कार (ऑफलाइन मोड)
- दस्तावेज़ सत्यापन
आवेदन कैसे करें
- NITT की आधिकारिक वेबसाइट www.nitt.edu से आवेदन पत्र (फॉर्म नं. 8) डाउनलोड करें।
- आवेदन पत्र को निर्धारित प्रारूप में पूर्ण रूप से भरें।
- भरे हुए आवेदन पत्र को सभी प्रासंगिक सहायक दस्तावेजों के साथ एकल PDF फ़ाइल के रूप में स्कैन करें।
- आवेदन को निम्नलिखित दोनों ईमेल पतों पर ईमेल के माध्यम से जमा करें:
- निम्नलिखित Google Form को भी भरें: https://forms.gle/r2Y4r2sLGiCz26Zb6
- जमा करने की अंतिम तिथि और समय 07 अगस्त 2026 रात्रि 11:59 बजे है।
- केवल शॉर्टलिस्टेड अभ्यर्थियों को ईमेल द्वारा सूचित किया जाएगा और उन्हें ईमेल के माध्यम से बताई गई तिथि पर ऑफलाइन मोड में साक्षात्कार के लिए उपस्थित होना होगा।
आवश्यक दस्तावेज
- B.E/B.Tech. डिग्री प्रमाणपत्र और समेकित ग्रेड कार्ड
- M.E/M.Tech. डिग्री प्रमाणपत्र और समेकित ग्रेड कार्ड (यदि लागू हो)
- 12वीं या समकक्ष प्रमाणपत्र
- 10वीं (SSLC) प्रमाणपत्र
- GATE स्कोर कार्ड (यदि लागू हो)
- आयु प्रमाण (10वीं प्रमाणपत्र)
- वर्ग प्रमाणपत्र (SC/ST/OBC) (यदि लागू हो)
- वर्तमान नियोक्ता से अनापत्ति प्रमाणपत्र (NOC) (यदि सरकार या सरकारी स्वामित्व वाले संगठन में कार्यरत हैं)
- हाल का पासपोर्ट साइज़ फोटो
महत्वपूर्ण निर्देश
- आवेदन केवल निर्धारित प्रारूप (फॉर्म नं. 8) में ही प्रस्तुत किए जाने चाहिए।
- अपूर्ण आवेदन अस्वीकार कर दिए जाएंगे।
- केवल वे अभ्यर्थी जिन्हें डिग्री/अनंतिम प्रमाणपत्र प्रदान किया गया है, आवेदन करने के पात्र हैं।
- सभी सहायक दस्तावेज एकल PDF फ़ाइल के रूप में प्रस्तुत किए जाने चाहिए।
- केवल शॉर्टलिस्टेड अभ्यर्थियों को ईमेल द्वारा सूचित किया जाएगा।
- साक्षात्कार से पहले मूल दस्तावेजों का सत्यापन किया जाएगा। अभ्यर्थियों को सभी प्रासंगिक दस्तावेजों की एक स्व-प्रमाणित प्रति जमा करनी होगी।
- साक्षात्कार के दिन मूल दस्तावेज प्रस्तुत करने में असमर्थ अभ्यर्थी एक घोषणा पत्र प्रस्तुत कर सकते हैं। हालाँकि, यदि चयनित होते हैं, तो सभी मूल दस्तावेज भौतिक रिपोर्टिंग के दौरान प्रस्तुत किए जाने चाहिए।
- फेलोशिप/वजीफा दस्तावेजों के भौतिक सत्यापन के बाद ही भुगतान किया जाएगा।
- साक्षात्कार में शामिल होने के लिए कोई TA/DA स्वीकार्य नहीं है।
- अभ्यर्थियों को ठहरने और यात्रा की अपनी व्यवस्था स्वयं करनी होगी।
- सरकार या सरकारी स्वामित्व वाले संगठनों में कार्यरत अभ्यर्थियों को साक्षात्कार के समय NOC प्रस्तुत करना होगा, अन्यथा उन्हें उपस्थित होने की अनुमति नहीं दी जाएगी।
- JRF के लिए, GATE पेपर और योग्यता डिग्री का विषय उस विषय/अनुशासन से संबंधित होना चाहिए जिसके लिए अभ्यर्थी आवेदन कर रहा है।
- फेलोशिप का प्रस्ताव NITT में अवशोषण का कोई अधिकार नहीं देता है।
- यदि चयन के बाद अभ्यर्थी अनुपयुक्त पाया जाता है, तो NIT किसी भी समय फेलोशिप को रद्द करने का अधिकार सुरक्षित रखता है।
- जमा करने की अंतिम तिथि और समय 07.08.2026, रात्रि 11:59 बजे है।
अतिरिक्त जानकारी
- नियुक्ति के बाद, संस्थान के मानदंडों की पूर्ति के अधीन, NIT, तिरुचिरापल्ली में Ph.D. कार्यक्रम में पंजीकरण का अवसर प्रदान किया जाएगा।
- विज्ञापन की समाप्ति तिथि के अनुसार अधिकतम आयु सीमा 32 वर्ष है। भारत सरकार के मानदंडों के अनुसार छूट।
- स्क्रीनिंग और शॉर्टलिस्टिंग प्रक्रिया के बाद चयन समिति द्वारा केवल पात्र अभ्यर्थियों को ही साक्षात्कार के लिए बुलाया जाएगा।
महत्वपूर्ण लिंक
| विवरण | लिंक |
| आधिकारिक वेबसाइट | यहाँ क्लिक करें |
| विस्तृत अधिसूचना और आवेदन पत्र | वेबसाइट से डाउनलोड करें |
| आवेदन के लिए Google Form | यहाँ क्लिक करें |
अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न (FAQs)
1. NITT JRF भर्ती 2026 के अंतर्गत कितनी रिक्तियाँ घोषित की गई हैं?
- विद्युत और इलेक्ट्रॉनिक्स इंजीनियरिंग विभाग में जूनियर रिसर्च फेलो (JRF) / प्रोजेक्ट असोसिएट-I के पद के लिए कुल 01 रिक्ति घोषित की गई है।
- आवेदन जमा करने की अंतिम तिथि 07 अगस्त 2026 रात्रि 11:59 बजे है। आवेदन PDF प्रारूप में ईमेल के माध्यम से भेजे जाने चाहिए।
- GATE योग्य अभ्यर्थियों (JRF) के लिए: प्रथम दो वर्ष ₹37,000 + HRA और तीसरे वर्ष के लिए ₹42,000 + HRA। गैर-GATE अभ्यर्थियों (प्रोजेक्ट असोसिएट-I) के लिए: प्रथम दो वर्ष ₹30,000 + HRA और तीसरे वर्ष के लिए ₹33,000 + HRA।
- JRF पद के लिए आवेदन करने वाले अभ्यर्थियों के लिए GATE स्कोर आवश्यक है। GATE के बिना अभ्यर्थी प्रोजेक्ट असोसिएट-I पद के लिए आवेदन कर सकते हैं।
- हाँ, नियुक्ति के बाद, अभ्यर्थियों को संस्थान के मानदंडों की पूर्ति के अधीन, NIT, तिरुचिरापल्ली में Ph.D. कार्यक्रम में पंजीकरण का अवसर मिलेगा।
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संपर्क विवरण
- मुख्य अन्वेषक: डॉ. शेलस सत्यन
- पद: सहायक प्रोफेसर
- विभाग: विद्युत और इलेक्ट्रॉनिक्स इंजीनियरिंग
- संस्थान: राष्ट्रीय प्रौद्योगिकी संस्थान, तिरुचिरापल्ली – 620015, तमिलनाडु
- ईमेल: shelassathyan@nitt.edu, apclabnitt@gmail.com
- वेबसाइट: https://www.nitt.edu
UPPSC भर्ती 2026 | 500+ रिक्तियों के लिए आवेदन करें
PNB LBO भर्ती 2026 | 545 LBO पदों के लिए आवेदन करें
यूनियन बैंक ऑफ इंडिया भर्ती 2026 | 395 अधिकारी पदों के लिए आवेदन करें
DRDO SSPL भर्ती 2026 | 23 JRF & RA पदों के लिए वॉक-इन
AAI सलाहकार भर्ती 2026 | 10 सलाहकार पदों के लिए आवेदन करें
DRDO ARDE भर्ती 2026 | 24 JRF & RA पदों के लिए आवेदन करें
अस्वीकरण: यह लेख राष्ट्रीय प्रौद्योगिकी संस्थान तिरुचिरापल्ली JRF / प्रोजेक्ट असोसिएट-I भर्ती 2026 अधिसूचना के आधार पर सूचनात्मक उद्देश्यों के लिए तैयार किया गया है। अभ्यर्थियों को आवेदन करने से पहले आधिकारिक अधिसूचना को ध्यानपूर्वक पढ़ने की सलाह दी जाती है। पात्रता मानदंड, पारिश्रमिक, चयन प्रक्रिया और महत्वपूर्ण तिथियों सहित सभी जानकारी आधिकारिक विज्ञापन पर आधारित है। किसी भी विसंगति की स्थिति में, NITT द्वारा जारी आधिकारिक अधिसूचना प्रबल होगी। नवीनतम भर्ती अपडेट के लिए NITT की आधिकारिक वेबसाइट पर विजिट करते रहें।